Razlike

Slijede razlike između dviju inačica stranice.

--- racfor_wiki:seminari2025:zc54067 [2026/01/21 18:43]
Zrinka Cvitanović [FLASH memorija]
+++ racfor_wiki:seminari2025:zc54067 [2026/01/22 16:13] (trenutno)
Zrinka Cvitanović [TRIM]
@@ Redak 48: / Redak 48: @@
 **Dinamička radna memorija** (engl. DRAM, //Direct Random Access Memory//) koristi kondenzatore za pohranu. Preciznije, za pohranu jednog bita koristi jedan tranzistor i jedan kondenzator. Kondenzator drži informaciju tako što čuva električni naboj koji se u njega pohrani. Kad je kondenzator napunjen, na krajevima postoji napon, a čitanje tog napona ga prazni. Tranzistor služi za čitanje pohranjene vrijednosti ili pisanje nove. [1]
-Ako se dugo ne koriste, kondenzatori se znaju isprazniti i time podatak koji čuvaju nestane. Zato je potrebno periodičko osvježavanje ili punjenje memorije. Ponovno punjenje kondenzatora se najjednostavnije radi čitanjem. Postoji sklopovlje koje periodički čita cijelu memoriju kako bi se osiguralo da se niti jedan kondenzator nije ispraznio od nekorištenja, [1]
+Ako se dugo ne koriste, kondenzatori se znaju isprazniti i time podatak koji čuvaju nestane. Zato je potrebno periodičko osvježavanje ili punjenje memorije. Ponovno punjenje kondenzatora se najjednostavnije radi čitanjem. Postoji sklopovlje koje periodički čita cijelu memoriju kako bi se osiguralo da se niti jedan kondenzator nije ispraznio od nekorištenja. [1]
-No, kao što je rečeno, čitanje podatka iz kondenzatora ga prazni, stoga ga je potrebno ponovno napuniti. Zato se periodičko čitanje odrađuje sklopom koji pročita kondenzator i odmah upiše u njega pročitanu vrijednost (tzv. sklop //čitaj-pa-piši//). Tijekom osvježavanja, memorija nije dostupna, stoga se ono radi u protutaktu u odnosu na takt memorije. No, ti ciklusi osvježavanja svejedno usporavaju rad memorije i zato je DRAM osjetno sporiji od SRAM-a. Usprkos tome, DRAM se koristi kao primarna radna memorija u računalu radi značajno manje cijene i veće gustoće pohrane od SRAM-a. [5]
+No, kao što je rečeno, čitanje podatka prazni kondenzator, stoga ga je potrebno ponovno napuniti. Zato se periodičko čitanje odrađuje sklopom koji pročita kondenzator i odmah upiše u njega pročitanu vrijednost (tzv. sklop //čitaj-pa-piši//). Tijekom osvježavanja, memorija nije dostupna, stoga se ono radi u protutaktu u odnosu na memoriju. No, ti ciklusi osvježavanja svejedno usporavaju rad memorije i zato je DRAM osjetno sporiji od SRAM-a. Usprkos tome, DRAM se koristi kao primarna radna memorija u računalu radi značajno manje cijene i veće gustoće pohrane od SRAM-a. [5]
 ==== FLASH memorija ====
@@ Redak 72: / Redak 72: @@
 Slika 3. Građa FLASH ćelije [6]
-Upisivanje podatka u ćeliju radi se dovođenjem visokog napona na //control gate//. Tada elektroni prođu kroz oksidativni sloj do floating gate. Taj proces naziva se **tuneliranje**. Ako su elektroni prisutni na //floating gateu//, tada se promijeni napon koji je potreban da se upali odgovarajući tranzistor. Ako je ćelija prazna, nema elektrona na gateu, i tada će tranzistor biti upaljen, što se interpretira kao 1. Ispunjena ćelija radi promjene potrebnog napona neće biti upaljena i to će interpretirati kao 0. [6]
+Upisivanje podatka u ćeliju radi se dovođenjem visokog napona na //control gate//. Tada elektroni prođu kroz oksidativni sloj do //floating gatea//. Taj proces naziva se **tuneliranje**. Ako su elektroni prisutni na //floating gateu//, tada se promijeni napon koji je potreban da se upali odgovarajući tranzistor. Ako je ćelija prazna, nema elektrona na //gateu//, i tada će tranzistor biti upaljen, što se interpretira kao 1. Ispunjena ćelija radi promjene potrebnog napona neće biti upaljena i to će interpretirati kao 0. [6]
 Brisanje podatka radi se dovođenjem visokog negativnog napona kako bi se elektroni izbili iz //gatea//. [6]
-Dvije vrste FLASH memorije su NOR i NAND ćelije. U oba slučaja ćelije su posložene u memorijsko polje, ali je razlika u načinu njihova spajanja.
+Dvije vrste FLASH memorije su NOR i NAND ćelije. U oba slučaja ćelije su posložene u memorijsko polje, ali postoji razlika u načinu njihova spajanja.
 **NOR memorija** ima paralelno spojene ćelije, što joj omogućuje brže čitanje i pisanje. Također, dugovječnija je i omogućuje pisanje jednog po jednog bita. No, paralelno spajanje čini sklop složenijim i zahtijeva više prostora, što rezultira manjim kapacitetom i većom cijenom. Zato se koristi samo za specifične primjene poput BIOS-a, spremanja konfiguracija i sl.
@@ Redak 82: / Redak 82: @@
 **NAND memorija** ima serijski spojene ćelije. Češće se koristi za pohranu podataka jer je većeg kapaciteta i manje cijene. Veći kapacitet se ostvaruje gušćim slaganjem ćelija u mreži, što je moguće jer nema toliko žica kao u paralelnom spajanju. Njezini nedostatci su što svaka memorijska lokacija ima ograničen broj ciklusa pisanja i čitanja te se prije svakog pisanja memorijska lokacija mora obrisati. Također, podržava samo blokovsko pisanje. [6]
-Memorija na HDD-u organizirana je u sektore. FLASH memorija prati sličan princip. Ona organizira memorijske ćelije u **stranice** (engl. //page//), a stranice su organizirane u **blokove**. Stranice tipično imaju oko 16 kB, a blokovi 8 MB, što znači da jedan blok ima mnogo stranica. [1]
+Memorija na HDD-u organizirana je u sektore. FLASH memorija ima sličan pristup. Ona organizira memorijske ćelije u **stranice** (engl. //page//), a stranice su organizirane u **blokove**. Stranice tipično imaju oko 16 kB, a blokovi 8 MB, što znači da jedan blok ima mnogo stranica. [1]
 ===== Princip rada SSD-a =====
@@ Redak 119: / Redak 119: @@
   * //Non-deterministic TRIM//
     * **nije definirano** što će korisnik dobiti
-  * //Deterministic Read After TRIM* (DRAT)//
+  * //Deterministic Read After TRIM (DRAT)//
     * uvijek će se vratiti **unaprijed zadana vrijednost**
   * //Deterministic Zeros After TRIM* (DZAT)//

racfor_wiki/seminari2025/zc54067.1769020999.txt.gz · Zadnja izmjena: 2026/01/21 18:43 od Zrinka Cvitanović